利用方法

利用形態

機器利用
利用者が自ら機器を操作する技術支援です。

技術代行
支援者が利用者に代行して機器を操作する技術支援です。

共同研究
契約に基づき,登録機器を用いて利用者と支援者が共同で実施する成果公開型共同研究です。

技術相談
利用者相談に専門家として応えるコンサルタントとしての支援です。

 

 

利用手順

技術相談・依頼を受けた後の対応体制は、以下のような流れとなっております。

1.利用相談
装置一覧 で装置仕様をご確認いただき、利用内容をメール・電話などでご相談ください。
E-mail: staff[at]u-tsukuba-arim.jp
Phone: 029-853-5804

2.利用申請書の提出
支援の内容が決まりましたら、利用登録申請書に必要事項を記載し、事務局に提出してください。

3.審査
課題選定・評価委員会にて審査を行います。

4.利用許可通知、支援開始
審査結果をメールで通知し、許可が下りると支援が開始されます。

5.成果報告書の提出、料金のお支払
支援終了後または年度末に利用報告書を提出いただきます。
利用時間に応じて課金します。

 

 

資料ダウンロード

資料一覧

ダウンロード 項目
令和5年度利用登録申請書
マテリアル先端リサーチインフラ事業共用設備利用手引き(2023年4月1日施行)
マテリアル先端リサーチインフラデータ登録約款
マテリアル先端リサーチインフラの利用に関する細則
設備利用約款
筑波大学の秘密保持に関する指針

 

 

 

利用料金

装置の利用料金
料金は各装置の利用時間(予約時間)に応じた時間課金従量制です。
毎月の利用に応じた積算額を翌月請求させていただきます。
*ご予約は30分単位で受付けています。
*技術補助・技術代行の料金は、機器利用料金を含みます。

共用装置名
装置名をクリックすると装置の詳細ページに移動します。
学外利用者
料金 / 1時間
  学内利用者
料金 / 1時間
機器利用 技術補助・技術代行
デバイスシミュレーター 1,720円 7,400円 660円
スパッタリング装置 3,400円 9,000円 1,500円
FIB-SEM 11,360円 17,000円 4,500円
電子線蒸着装置 3,080円 8,800円 1,500円
電子線描画装置 3,360円 9,000円 1,500円
走査型プローブ顕微鏡 3,480円 9,000円 1,500円
ウェハーダイシングマシン 1,300円 7,000円 600円
電界放出型走査電子顕微鏡 3,560円 9,200円 1,500円
パターン投影リソグラフィシステム 1,060円 6,600円 500円
インクジェットパターン形成装置 2,940円 8,600円 1,500円
反応性イオンエッチング 1,860円 7,400円 1,080円
触針式表面段差計 420円 6,000円 200円
半導体特性評価システム(B1500A) 1,020円 6,600円 300円
光電子分光装置 2,320円 8,000円 400円
パワーデバイス特性評価装置(B1505A) 1,640円 7,200円 400円
IRエミッション顕微鏡 4,120円 9,800円 1,000円
イオンミリング 2,620円 8,200円 1,000円
分光エリプソメータ 1,500円 7,200円 800円
小型イオンシャワー(終点検出器付きイオンミリング) 2,260円 7,800円 1,500円
多機能走査型X線光電子分光分析装置 4,740円 10,400円 1,000円
データ解析用PC 500円 6,200円 200円

 *2023年6月1日より適用 (税込表示)

 

 

設置場所

装置の設置場所

共同研究棟C 107室

装置分野 装置名
加工・観察 FIB-SEM (FEI,Helios NanoLab 600i)
観察 FE-SEM (日立ハイテク,SU-8020)
露光 電子線描画装置 (ELIONIX,ELS-7500EX)
露光 マスクアライナー (Neutronix-Quintel, Q 2001CT)
露光 パターン投影リソグラフィーシステム(Heidelberg Instruments, µPG501)
成膜 インクジェットパターン生成装置(SIJテクノロジ, ST050)
シミュレータ プロセス/デバイスシミュレーター (SILVACO,ATHENA/ATLAS)
その他 プラズマリアクター (ヤマト科学, PR500) / スピンコーター(ミカサ株式会社, MS-A100)

 

共同研究棟C 104室

装置分野 装置名
観察・分析 AFM (Bruker, Multimode8) (Bruker,Dimension Icon)
分析 SNOM (日本分光,特注)
分析 レーザラマン分光光度計 (日本分光, NRS-5100)

 

共同研究棟C 301室

装置分野 装置名
分析 半導体特性評価システム(Agilent, B1599T)
分析 触針式表面形状測定器(アルバック, Dektak)

 

共同研究棟C 309室

装置分野 装置名
成膜 スパッタリング装置 (芝浦メカトロニクス, CFS-4FP-LL)
成膜 多元電子ビーム蒸着装置(株式会社エイコー, EB-350T)
加工 反応性イオンエッチング装置(サムコ株式会社, RIE-10NR)
切削 ウェーハダイシングマシン(株式会社ディスコ, DAD322)