| 主な機能 | (1) 2次元プロセスシミュレーター
・半導体製造プロセスである、イオン注入、拡散、酸化、エッチング/デポジション、リソグラフィ、シリサイドプロセス、及び応力工程を２次元計算可能。
・シリコンを中心に、SiCやGaNなどの半導体素子に対して、夫々の素子毎に適切な多層構造、ドーパント分布、応力分布を予測可能。
・レイアウト・マスク情報の自動取り込みなど、プロセスフローの情報を当該ツール上で作成または修正可能。
・自動およびユーザ定義によるメッシュ生成および制御が当該ツール上で可能。
・2次元の構造と分布、ならびに1次元の断面をインタラクティブにプロットが可能なグラフィックツールを備える。
・プロセスフローの最適化およびモデル・パラメータのキャリブレーションが可能。
(2) 2次元シリコン・デバイスシミュレーター
・半導体方程式(ポアソン方程式、電子電流連続方程式、正孔電流連続方程式)をセルフコンシステントに2次元で解く機能を有し、シリコンの広範なテクノロジに対して、DC、AC、および過渡特性を2次元/3次元で解析し、素子の電気特性、光学特性、温度特性を計算可能。
・半導体素子におけるキャリアの量子閉じ込め効果、量子輸送など、量子力学的な効果を考慮して素子の電位分布、電荷分布、波動関数および電気特性を計算するモデル（Self-Consistent Coupled Schrodinger Poisson Model, Quantum Moments Model, BQP model, Quantum Correction Model, General Quantum Well Model, Quantum Transport Non-Equilibrium Green’s Function Approach Model, Drift-Diffusion Mode-Space Method Model）を有する。
・マルチスレッド・アルゴリズムを採用し、精度を保持しながら、並列CPUマシンでの計算可能。
(3) ２次元先端材料・デバイスシミュレーター
・多様なテクノロジ（シリコン、III-V、II-VI、IV-IV、ポリマー等を材料とした、CMOS、バイポーラ、高耐圧パワー・デバイス、 VCSEL、TFT、オプトエレクトロニクス、レーザ、LED、CCD、センサ、ヒューズ、NVM、強誘電体、SOI、Fin-FET、HEMT、 HBT、有機テクノロジなど）に対応。
・2次元プロセスシミュレーターと2次元デバイスシミュレーターがシームレスに連携でき、視覚化ツール、100以上の例題集をもつデバイス入力環境。
(4) ３次元シリコン/先端材料・デバイスシミュレーター
・上記先端材料に対して、半導体方程式(ポアソン方程式、電子電流連続方程式、正孔電流連続方程式)をセルフコンシステントに3次元で解く機能を有し、光子吸収、光子放射、バルク・トラップや界面トラップ、磁界、自己発熱、電離放射線の衝突、ホット・キャリアおよびトンネル効果を3次元で計算可能。
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