受託内容：トンネル伝導機構を用いたトンネルトランジスタが期待されています。この素子はMOSFETより小さなS値が可能なため、急峻にON/OFFの切り替えが可能だと予測されますが、高いON電流の達成が課題です。本件では、小さいS値と高いON電流を達成するための最適な構造を検討します。

次世代の新原理トランジスタ候補であるトンネルFETの電気特性シミュレーション（基板不純物濃度依存性）

第一原理計算に基づいた材料設計から、生産現場で用いられている2D, 3Dデバイスシミュレーションまで広範囲な支援が可能です。予め、シミュレーションによる仮想実験・評価を行うことで、デバイス構造の最適化を行い、試作の効率化を図ることが可能です。