受託内容：大きな電流密度が実験的に得られているSiナノワイヤトランジスタについて、デバイスシミュレーターを用いて高密度化の理由について確認を行うとともに、さらなる高密度化への構造最適化を行います。また、メタルソース・ドレイン材料の選定とその構造の最適化を行います。これらはデバイス試作の効率化のために先行して行うものです。